Disco de carburo de silicio para MOCVD

Breve descripción:

Disco estrella de SiC Aplicación: La placa central y los discos de SiC se utilizan en la cámara de reacción MOCVD para el proceso epitaxial de semiconductores compuestos III-V.

Podemos diseñar y fabricar de acuerdo con sus dimensiones específicas con buena calidad y plazos de entrega razonables.

 

Detalle del producto

Etiquetas de producto

Descripción

ElDisco de carburo de siliciopara MOCVD de semicera, una solución de alto rendimiento diseñada para una eficiencia óptima en los procesos de crecimiento epitaxial. El disco de carburo de silicio semicera ofrece estabilidad térmica y precisión excepcionales, lo que lo convierte en un componente esencial en los procesos de epitaxia de Si y epitaxia de SiC. Diseñado para soportar las altas temperaturas y las exigentes condiciones de las aplicaciones MOCVD, este disco garantiza un rendimiento confiable y una larga vida útil.

Nuestro disco de carburo de silicio es compatible con una amplia gama de configuraciones MOCVD, incluidasSusceptor MOCVDy admite procesos avanzados como GaN en SiC Epitaxy. También se integra perfectamente con los sistemas PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier, mejorando la precisión y la calidad de su producción de fabricación. Ya sea que se utilice para la producción de silicio monocristalino o aplicaciones de susceptor epitaxial LED, este disco garantiza resultados excepcionales.

Además, el disco de carburo de silicio de semicera se adapta a varias configuraciones, incluidas las configuraciones de Susceptor Pancake y Susceptor Barrel, lo que ofrece flexibilidad en diversos entornos de fabricación. La inclusión de Piezas Fotovoltaicas amplía aún más su aplicación a las industrias de energía solar, convirtiéndolas en un componente versátil e indispensable para las modernasepitaxialcrecimiento y fabricación de semiconductores.

 

Características principales

1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza

2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica

3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa

4. Alta durabilidad frente a limpieza química.

 

Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

SiC-CVD
Densidad (g/cc) 3.21
Resistencia a la flexión (Mpa) 470
Expansión térmica (10-6/K) 4
Conductividad térmica (W/mK) 300

Embalaje y envío

Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:

Cantidad (piezas)

1-1000

>1000

Est. Tiempo (días) 30 Para ser negociado
Lugar de trabajo Semicera
Lugar de trabajo semicera 2
maquina de equipo
Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD
Casa de artículos de semicera
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