Descripción
ElSusceptores de oblea de carburo de silicio (SiC)para MOCVD de semicera están diseñados para procesos epitaxiales avanzados, ofreciendo un rendimiento superior tanto paraSi epitaxiayEpitaxia de SiCaplicaciones. El enfoque innovador de Semicera garantiza que estos susceptores sean duraderos y eficientes, proporcionando estabilidad y precisión para operaciones de fabricación críticas.
Diseñado para soportar las complejas necesidades deSusceptor MOCVDsistemas, estos productos son versátiles y compatibles con portadores como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier. Su flexibilidad los hace adecuados para industrias de alta tecnología, incluidas aquellas que trabajan conLED epitaxialSusceptor y Silicio Monocristalino.
Con múltiples configuraciones, incluidos Barrel Susceptor y Pancake Susceptor, estos susceptores de oblea también son esenciales en el sector fotovoltaico, ya que respaldan la fabricación de piezas fotovoltaicas. Para los fabricantes de semiconductores, la capacidad de manejar procesos de epitaxia de GaN en SiC hace que estos susceptores sean muy valiosos para garantizar resultados de alta calidad en una amplia gama de aplicaciones.
Características principales
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc) | 3.21 |
| Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
| Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaje y envío
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
| Cantidad (piezas) | 1-1000 | >1000 |
| Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |
