La película de silicio de Semicera es un material de alta calidad diseñado con precisión para cumplir con los estrictos requisitos de la industria de semiconductores. Fabricada a partir de silicio puro, esta solución de película delgada ofrece una excelente uniformidad, alta pureza y propiedades eléctricas y térmicas excepcionales. Es ideal para su uso en diversas aplicaciones de semiconductores, incluida la producción de oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN y Epi-Wafer. La película de silicio de Semicera garantiza un rendimiento confiable y constante, lo que la convierte en un material esencial para la microelectrónica avanzada.
Calidad y rendimiento superiores para la fabricación de semiconductores
La película de silicio de Semicera es conocida por su excepcional resistencia mecánica, alta estabilidad térmica y bajas tasas de defectos, todos los cuales son cruciales en la fabricación de semiconductores de alto rendimiento. Ya sea que se utilice en la producción de dispositivos de óxido de galio (Ga2O3), obleas de AlN o Epi-Wafers, la película proporciona una base sólida para la deposición de películas delgadas y el crecimiento epitaxial. Su compatibilidad con otros sustratos semiconductores como el sustrato de SiC y las obleas SOI garantiza una integración perfecta en los procesos de fabricación existentes, lo que ayuda a mantener altos rendimientos y una calidad constante del producto.
Aplicaciones en la industria de semiconductores
En la industria de los semiconductores, la película de silicio de Semicera se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, desde la producción de oblea de Si y oblea de SOI hasta usos más especializados como la creación de sustrato de SiN y Epi-Wafer. La alta pureza y precisión de esta película la hacen esencial en la producción de componentes avanzados utilizados en todo, desde microprocesadores y circuitos integrados hasta dispositivos optoelectrónicos.
La película de silicio desempeña un papel fundamental en los procesos de semiconductores, como el crecimiento epitaxial, la unión de obleas y la deposición de películas delgadas. Sus propiedades confiables son especialmente valiosas para industrias que requieren entornos altamente controlados, como salas blancas en fábricas de semiconductores. Además, la película de silicio se puede integrar en sistemas de casetes para un manejo y transporte eficiente de las obleas durante la producción.
Fiabilidad y consistencia a largo plazo
Uno de los beneficios clave de utilizar Silicon Film de Semicera es su confiabilidad a largo plazo. Con su excelente durabilidad y calidad constante, esta película proporciona una solución confiable para entornos de producción de alto volumen. Ya sea que se utilice en dispositivos semiconductores de alta precisión o en aplicaciones electrónicas avanzadas, la película de silicio de Semicera garantiza que los fabricantes puedan lograr un alto rendimiento y confiabilidad en una amplia gama de productos.
¿Por qué elegir la película de silicona de Semicera?
La Película de Silicio de Semicera es un material esencial para aplicaciones de vanguardia en la industria de semiconductores. Sus propiedades de alto rendimiento, incluida una excelente estabilidad térmica, alta pureza y resistencia mecánica, lo convierten en la opción ideal para los fabricantes que buscan alcanzar los más altos estándares en la producción de semiconductores. Desde oblea de Si y sustrato de SiC hasta la producción de dispositivos de óxido de galio Ga2O3, esta película ofrece calidad y rendimiento inigualables.
Con Silicon Film de Semicera, puede confiar en un producto que satisface las necesidades de la fabricación moderna de semiconductores y proporciona una base confiable para la próxima generación de productos electrónicos.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
