Descripción general del producto
ElPortador de paletas y obleas de carburo de silicio (SiC) impregnado de silicioestá diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de las aplicaciones de procesamiento térmico de semiconductores. Elaborado a partir de SiC de alta pureza y mejorado mediante impregnación de silicio, este producto ofrece una combinación única de rendimiento a altas temperaturas, excelente conductividad térmica, resistencia a la corrosión y excelente resistencia mecánica.
Al integrar la ciencia de materiales avanzada con la fabricación de precisión, esta solución garantiza un rendimiento, confiabilidad y durabilidad superiores para los fabricantes de semiconductores.
Características clave
1.Excepcional resistencia a altas temperaturas
Con un punto de fusión superior a 2700°C, los materiales de SiC son inherentemente estables bajo calor extremo. La impregnación de silicio mejora aún más su estabilidad térmica, permitiéndoles soportar una exposición prolongada a altas temperaturas sin debilitamiento estructural ni degradación del rendimiento.
2.Conductividad térmica superior
La excepcional conductividad térmica del SiC impregnado de silicio garantiza una distribución uniforme del calor, lo que reduce el estrés térmico durante las etapas críticas de procesamiento. Esta propiedad prolonga la vida útil del equipo y minimiza el tiempo de inactividad de la producción, lo que lo hace ideal para el procesamiento térmico a alta temperatura.
3.Resistencia a la oxidación y la corrosión
Se forma naturalmente una robusta capa de óxido de silicio en la superficie, lo que proporciona una excelente resistencia a la oxidación y la corrosión. Esto garantiza confiabilidad a largo plazo en entornos operativos hostiles, protegiendo tanto el material como los componentes circundantes.
4.Alta resistencia mecánica y resistencia al desgaste.
El SiC impregnado de silicio presenta una excelente resistencia a la compresión y al desgaste, manteniendo su integridad estructural en condiciones de alta carga y alta temperatura. Esto reduce el riesgo de daños relacionados con el desgaste, lo que garantiza un rendimiento constante durante ciclos de uso prolongados.
Presupuesto
| Nombre del producto | SC-RSiC-Si |
| Material | Impregnación de silicio Compacto de carburo de silicio (alta pureza) |
| Aplicaciones | Piezas de tratamiento térmico de semiconductores, Piezas de equipos de fabricación de semiconductores |
| Formulario de entrega | Cuerpo moldeado (Cuerpo sinterizado) |
| Composición | Propiedad mecánica | Módulo de Young (GPa) | Resistencia a la flexión (MPa) | ||
| Composición (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densidad aparente (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Temperatura resistente al calor°C | 1350 | Relación de Poisson | 0,18(RT) | ||
| Propiedad térmica | Conductividad térmica (W/(m·K)) | Capacidad calorífica específica (kJ/(kg·K)) | Coeficiente de expansión térmica (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | TA~700°C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4.3x10-6 | |
| Contenido de impurezas ((ppm) | |||||||||||||
| Elemento | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Tasa de contenido | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0.3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Aplicaciones
▪Procesamiento térmico de semiconductores:Ideal para procesos como la deposición química de vapor (CVD), el crecimiento epitaxial y el recocido, donde el control preciso de la temperatura y la durabilidad del material son fundamentales.
▪Portadores de obleas y paletas:Diseñado para sujetar y transportar de forma segura obleas durante tratamientos térmicos a alta temperatura.
▪Entornos operativos extremos: Adecuado para entornos que requieren resistencia al calor, exposición química y tensión mecánica.
Ventajas del SiC impregnado de silicio
La combinación de carburo de silicio de alta pureza y tecnología avanzada de impregnación de silicio ofrece beneficios de rendimiento incomparables:
▪Precisión:Mejora la precisión y el control del procesamiento de semiconductores.
▪Estabilidad:Resiste entornos hostiles sin comprometer la funcionalidad.
▪Longevidad:Extiende la vida útil de los equipos de fabricación de semiconductores.
▪Eficiencia:Mejora la productividad al garantizar resultados confiables y consistentes.
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At semicera, nos especializamos en brindar soluciones de alto rendimiento adaptadas a las necesidades de los fabricantes de semiconductores. Nuestras paletas y soportes de obleas de carburo de silicio impregnados de silicio se someten a rigurosas pruebas y controles de calidad para cumplir con los estándares de la industria. Al elegir Semicera, obtiene acceso a materiales de vanguardia diseñados para optimizar sus procesos de fabricación y mejorar sus capacidades de producción.
Especificaciones técnicas
▪Composición del material:Carburo de silicio de alta pureza con impregnación de silicio.
▪Rango de temperatura de funcionamiento:Hasta 2700°C.
▪ Conductividad térmica:Excepcionalmente alto para una distribución uniforme del calor.
▪Propiedades de resistencia:Resistente a la oxidación, la corrosión y el desgaste.
▪Aplicaciones:Compatible con varios sistemas de procesamiento térmico de semiconductores.
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