El sustrato cerámico de nitruro de silicio de Semicera representa el pináculo de la tecnología de materiales avanzada, proporcionando una conductividad térmica excepcional y propiedades mecánicas robustas. Diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, este sustrato sobresale en entornos que requieren gestión térmica confiable e integridad estructural.
Nuestros sustratos cerámicos de nitruro de silicio están diseñados para soportar temperaturas extremas y condiciones duras, lo que los hace ideales para dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia. Su conductividad térmica superior garantiza una disipación eficiente del calor, lo cual es crucial para mantener el rendimiento y la longevidad de los componentes electrónicos.
El compromiso de Semicera con la calidad es evidente en cada sustrato cerámico de nitruro de silicio que producimos. Cada sustrato se fabrica utilizando procesos de última generación para garantizar un rendimiento constante y defectos mínimos. Este alto nivel de precisión respalda las rigurosas demandas de industrias como la automotriz, aeroespacial y de telecomunicaciones.
Además de sus beneficios térmicos y mecánicos, nuestros sustratos ofrecen excelentes propiedades de aislamiento eléctrico, que contribuyen a la confiabilidad general de sus dispositivos electrónicos. Al reducir la interferencia eléctrica y mejorar la estabilidad de los componentes, los sustratos cerámicos de nitruro de silicio de Semicera desempeñan un papel crucial en la optimización del rendimiento del dispositivo.
Elegir el sustrato cerámico de nitruro de silicio de Semicera significa invertir en un producto que ofrece alto rendimiento y durabilidad. Nuestros sustratos están diseñados para satisfacer las necesidades de aplicaciones electrónicas avanzadas, lo que garantiza que sus dispositivos se beneficien de tecnología de materiales de vanguardia y una confiabilidad excepcional.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
