La oblea de silicio sobre aislante (SOI) de Semicera está a la vanguardia de la innovación en semiconductores y ofrece un aislamiento eléctrico mejorado y un rendimiento térmico superior. La estructura SOI, que consta de una fina capa de silicio sobre un sustrato aislante, proporciona beneficios críticos para dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
Nuestras obleas SOI están diseñadas para minimizar la capacitancia parásita y las corrientes de fuga, lo cual es esencial para desarrollar circuitos integrados de alta velocidad y baja potencia. Esta tecnología avanzada garantiza que los dispositivos funcionen de manera más eficiente, con mayor velocidad y menor consumo de energía, algo crucial para la electrónica moderna.
Los avanzados procesos de fabricación empleados por Semicera garantizan la producción de obleas SOI con excelente uniformidad y consistencia. Esta calidad es vital para aplicaciones en telecomunicaciones, automoción y electrónica de consumo, donde se requieren componentes confiables y de alto rendimiento.
Además de sus beneficios eléctricos, las obleas SOI de Semicera ofrecen un aislamiento térmico superior, mejorando la disipación del calor y la estabilidad en dispositivos de alta densidad y alta potencia. Esta característica es particularmente valiosa en aplicaciones que implican una generación significativa de calor y requieren una gestión térmica eficaz.
Al elegir la oblea aislante de silicio de Semicera, invierte en un producto que respalda el avance de tecnologías de vanguardia. Nuestro compromiso con la calidad y la innovación garantiza que nuestras obleas SOI cumplan con las rigurosas demandas de la industria de semiconductores actual, proporcionando la base para los dispositivos electrónicos de próxima generación.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
