Silicio sobre obleas aislantesde Semicera están diseñados para satisfacer la creciente demanda de soluciones de semiconductores de alto rendimiento. Nuestras obleas SOI ofrecen un rendimiento eléctrico superior y una capacitancia de dispositivo parásito reducida, lo que las hace ideales para aplicaciones avanzadas como dispositivos MEMS, sensores y circuitos integrados. La experiencia de Semicera en la producción de obleas garantiza que cadaoblea SOIproporciona resultados confiables y de alta calidad para sus necesidades tecnológicas de próxima generación.
NuestroSilicio sobre obleas aislantesOfrecer un equilibrio óptimo entre rentabilidad y rendimiento. Dado que el costo de las obleas soi se vuelve cada vez más competitivo, estas obleas se utilizan ampliamente en una variedad de industrias, incluidas la microelectrónica y la optoelectrónica. El proceso de producción de alta precisión de Semicera garantiza una unión y uniformidad superiores de las obleas, lo que las hace adecuadas para una variedad de aplicaciones, desde obleas SOI con cavidades hasta obleas de silicio estándar.
Características clave:
•Obleas SOI de alta calidad optimizadas para el rendimiento en MEMS y otras aplicaciones.
•Costo competitivo de oblea soi para empresas que buscan soluciones avanzadas sin comprometer la calidad.
•Ideal para tecnologías de vanguardia, ya que ofrece aislamiento eléctrico mejorado y eficiencia en sistemas de aisladores de silicio.
NuestroSilicio sobre obleas aislantesestán diseñados para proporcionar soluciones de alto rendimiento, respaldando la próxima ola de innovación en tecnología de semiconductores. Ya sea que esté trabajando en cavidadesobleas SOI, dispositivos MEMS o componentes aislantes de silicio, Semicera ofrece obleas que cumplen con los más altos estándares de la industria.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
