Los sustratos de silicio Semicera están diseñados para satisfacer las rigurosas demandas de la industria de semiconductores, ofreciendo calidad y precisión incomparables. Estos sustratos proporcionan una base confiable para diversas aplicaciones, desde circuitos integrados hasta células fotovoltaicas, lo que garantiza un rendimiento y una longevidad óptimos.
La alta pureza de los sustratos de silicio Semicera garantiza defectos mínimos y características eléctricas superiores, que son fundamentales para la producción de componentes electrónicos de alta eficiencia. Este nivel de pureza ayuda a reducir la pérdida de energía y mejorar la eficiencia general de los dispositivos semiconductores.
Semicera emplea técnicas de fabricación de última generación para producir sustratos de silicio con una uniformidad y planitud excepcionales. Esta precisión es esencial para lograr resultados consistentes en la fabricación de semiconductores, donde incluso la más mínima variación puede afectar el rendimiento y el rendimiento del dispositivo.
Disponibles en una variedad de tamaños y especificaciones, los sustratos de silicio Semicera satisfacen una amplia gama de necesidades industriales. Ya sea que esté desarrollando microprocesadores o paneles solares de última generación, estos sustratos brindan la flexibilidad y confiabilidad necesarias para su aplicación específica.
Semicera se dedica a apoyar la innovación y la eficiencia en la industria de los semiconductores. Al proporcionar sustratos de silicio de alta calidad, permitimos a los fabricantes superar los límites de la tecnología y ofrecer productos que satisfagan las demandas cambiantes del mercado. Confía en Semicera para tus soluciones electrónicas y fotovoltaicas de última generación.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
