Sustrato de Silicio

Breve descripción:

Los sustratos de silicio Semicera están diseñados con precisión para aplicaciones de alto rendimiento en la fabricación de electrónica y semiconductores. Con una pureza y uniformidad excepcionales, estos sustratos están diseñados para soportar procesos tecnológicos avanzados. Semicera garantiza calidad y confiabilidad constantes para sus proyectos más exigentes.


Detalle del producto

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Los sustratos de silicio Semicera están diseñados para satisfacer las rigurosas demandas de la industria de semiconductores, ofreciendo calidad y precisión incomparables. Estos sustratos proporcionan una base confiable para diversas aplicaciones, desde circuitos integrados hasta células fotovoltaicas, lo que garantiza un rendimiento y una longevidad óptimos.

La alta pureza de los sustratos de silicio Semicera garantiza defectos mínimos y características eléctricas superiores, que son fundamentales para la producción de componentes electrónicos de alta eficiencia. Este nivel de pureza ayuda a reducir la pérdida de energía y mejorar la eficiencia general de los dispositivos semiconductores.

Semicera emplea técnicas de fabricación de última generación para producir sustratos de silicio con una uniformidad y planitud excepcionales. Esta precisión es esencial para lograr resultados consistentes en la fabricación de semiconductores, donde incluso la más mínima variación puede afectar el rendimiento y el rendimiento del dispositivo.

Disponibles en una variedad de tamaños y especificaciones, los sustratos de silicio Semicera satisfacen una amplia gama de necesidades industriales. Ya sea que esté desarrollando microprocesadores o paneles solares de última generación, estos sustratos brindan la flexibilidad y confiabilidad necesarias para su aplicación específica.

Semicera se dedica a apoyar la innovación y la eficiencia en la industria de los semiconductores. Al proporcionar sustratos de silicio de alta calidad, permitimos a los fabricantes superar los límites de la tecnología y ofrecer productos que satisfagan las demandas cambiantes del mercado. Confía en Semicera para tus soluciones electrónicas y fotovoltaicas de última generación.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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Obleas de SiC

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