Las obleas de silicio Semicera están meticulosamente diseñadas para servir como base para una amplia gama de dispositivos semiconductores, desde microprocesadores hasta células fotovoltaicas. Estas obleas están diseñadas con alta precisión y pureza, lo que garantiza un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones electrónicas.
Fabricadas con técnicas avanzadas, las obleas de silicio Semicera exhiben una planitud y uniformidad excepcionales, que son cruciales para lograr altos rendimientos en la fabricación de semiconductores. Este nivel de precisión ayuda a minimizar los defectos y mejorar la eficiencia general de los componentes electrónicos.
La calidad superior de las obleas de silicio Semicera es evidente en sus características eléctricas, que contribuyen a mejorar el rendimiento de los dispositivos semiconductores. Con bajos niveles de impurezas y alta calidad de cristal, estas obleas proporcionan la plataforma ideal para desarrollar productos electrónicos de alto rendimiento.
Disponibles en varios tamaños y especificaciones, las obleas de silicio Semicera se pueden adaptar para satisfacer las necesidades específicas de diferentes industrias, incluidas la informática, las telecomunicaciones y las energías renovables. Ya sea para fabricación a gran escala o investigación especializada, estas obleas ofrecen resultados confiables.
Semicera se compromete a apoyar el crecimiento y la innovación de la industria de semiconductores proporcionando obleas de silicio de alta calidad que cumplan con los más altos estándares de la industria. Centrándose en la precisión y la confiabilidad, Semicera permite a los fabricantes superar los límites de la tecnología, garantizando que sus productos se mantengan a la vanguardia del mercado.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
