Los sustratos lisos de cerámica SiN de Semicera proporcionan una solución de alto rendimiento para una variedad de aplicaciones electrónicas e industriales. Conocidos por su excelente conductividad térmica y resistencia mecánica, estos sustratos garantizan un funcionamiento confiable en entornos exigentes.
Nuestras cerámicas SiN (nitruro de silicio) están diseñadas para soportar temperaturas extremas y condiciones de alto estrés, lo que las hace adecuadas para electrónica de alta potencia y dispositivos semiconductores avanzados. Su durabilidad y resistencia al choque térmico los hacen ideales para su uso en aplicaciones donde la confiabilidad y el rendimiento son críticos.
Los procesos de fabricación de precisión de Semicera garantizan que cada sustrato liso cumpla con rigurosos estándares de calidad. Esto da como resultado sustratos con espesor y calidad de superficie constantes, que son esenciales para lograr un rendimiento óptimo en conjuntos y sistemas electrónicos.
Además de sus ventajas térmicas y mecánicas, los sustratos lisos de SiN Ceramics ofrecen excelentes propiedades de aislamiento eléctrico. Esto garantiza una interferencia eléctrica mínima y contribuye a la estabilidad y eficiencia generales de los componentes electrónicos, mejorando su vida útil operativa.
Al seleccionar los sustratos lisos de cerámica SiN de Semicera, está eligiendo un producto que combina ciencia de materiales avanzada con una fabricación de primer nivel. Nuestro compromiso con la calidad y la innovación garantiza que usted reciba sustratos que cumplan con los más altos estándares de la industria y respalden el éxito de sus proyectos de tecnología avanzada.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
