La oblea SOI (silicio sobre aislante) de Semicera está diseñada para ofrecer un aislamiento eléctrico y un rendimiento térmico superiores. Esta innovadora estructura de oblea, que presenta una capa de silicio sobre una capa aislante, garantiza un rendimiento mejorado del dispositivo y un consumo de energía reducido, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones de alta tecnología.
Nuestras obleas SOI ofrecen beneficios excepcionales para circuitos integrados al minimizar la capacitancia parásita y mejorar la velocidad y eficiencia del dispositivo. Esto es crucial para la electrónica moderna, donde el alto rendimiento y la eficiencia energética son esenciales tanto para aplicaciones industriales como de consumo.
Semicera emplea técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas SOI con calidad y confiabilidad constantes. Estas obleas proporcionan un excelente aislamiento térmico, lo que las hace adecuadas para su uso en entornos donde la disipación de calor es una preocupación, como en dispositivos electrónicos de alta densidad y sistemas de administración de energía.
El uso de obleas SOI en la fabricación de semiconductores permite el desarrollo de chips más pequeños, más rápidos y más fiables. El compromiso de Semicera con la ingeniería de precisión garantiza que nuestras obleas SOI cumplan con los altos estándares requeridos para tecnologías de vanguardia en campos como las telecomunicaciones, la automoción y la electrónica de consumo.
Elegir SOI Wafer de Semicera significa invertir en un producto que respalda el avance de las tecnologías electrónicas y microelectrónicas. Nuestras obleas están diseñadas para proporcionar un rendimiento y una durabilidad mejorados, contribuyendo al éxito de sus proyectos de alta tecnología y garantizando que se mantenga a la vanguardia de la innovación.
Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
Parámetros de cristal | |||
politipo | 4H | ||
Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
dopante | Nitrógeno tipo n | ||
Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350±25 micras | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
piso secundario | Ninguno | ||
televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Estructura | |||
Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
Calidad frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcado láser frontal | Ninguno | ||
Calidad trasera | |||
Acabado trasero | CMP cara C | ||
Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaje | |||
Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |