Oblea SOI de silicio sobre aislante

Breve descripción:

La oblea SOI (silicio sobre aislante) de Semicera proporciona aislamiento eléctrico y rendimiento excepcionales para aplicaciones de semiconductores avanzadas. Diseñadas para una eficiencia térmica y eléctrica superior, estas obleas son ideales para circuitos integrados de alto rendimiento. Elija Semicera por calidad y confiabilidad en la tecnología de obleas SOI.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

La oblea SOI (silicio sobre aislante) de Semicera está diseñada para ofrecer un aislamiento eléctrico y un rendimiento térmico superiores. Esta innovadora estructura de oblea, que presenta una capa de silicio sobre una capa aislante, garantiza un rendimiento mejorado del dispositivo y un consumo de energía reducido, lo que lo hace ideal para una variedad de aplicaciones de alta tecnología.

Nuestras obleas SOI ofrecen beneficios excepcionales para circuitos integrados al minimizar la capacitancia parásita y mejorar la velocidad y eficiencia del dispositivo. Esto es crucial para la electrónica moderna, donde el alto rendimiento y la eficiencia energética son esenciales tanto para aplicaciones industriales como de consumo.

Semicera emplea técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas SOI con calidad y confiabilidad constantes. Estas obleas proporcionan un excelente aislamiento térmico, lo que las hace adecuadas para su uso en entornos donde la disipación de calor es una preocupación, como en dispositivos electrónicos de alta densidad y sistemas de administración de energía.

El uso de obleas SOI en la fabricación de semiconductores permite el desarrollo de chips más pequeños, más rápidos y más fiables. El compromiso de Semicera con la ingeniería de precisión garantiza que nuestras obleas SOI cumplan con los altos estándares requeridos para tecnologías de vanguardia en campos como las telecomunicaciones, la automoción y la electrónica de consumo.

Elegir SOI Wafer de Semicera significa invertir en un producto que respalda el avance de las tecnologías electrónicas y microelectrónicas. Nuestras obleas están diseñadas para proporcionar un rendimiento y una durabilidad mejorados, contribuyendo al éxito de sus proyectos de alta tecnología y garantizando que se mantenga a la vanguardia de la innovación.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

tecnología_1_2_tamaño
Obleas de SiC

  • Anterior:
  • Próximo: