Obleas SOI

Breve descripción:

La oblea SOI es una estructura tipo sándwich con tres capas; Incluyendo la capa superior (capa del dispositivo), la mitad de la capa de oxígeno enterrada (para la capa aislante de SiO2) y el sustrato inferior (silicio a granel). Las obleas SOI se producen utilizando el método SIMOX y la tecnología de unión de obleas, lo que permite capas de dispositivo más delgadas y precisas, espesor uniforme y baja densidad de defectos.

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Detalle del producto

Etiquetas de producto

Obleas SOI(1)

Campo de aplicación

1. Circuito integrado de alta velocidad

2. Dispositivos de microondas

3. Circuito integrado de alta temperatura

4. Dispositivos de energía

5. Circuito integrado de baja potencia.

6. MEMS

7. Circuito integrado de bajo voltaje.

Artículo		Argumento
En general	Diámetro de la oblea Tamaño(mm)	50/75/100/125/150/200 mm ± 25 um
	Arco/deformación 翘曲度(	<10um
	Partículas 颗粒度(	0,3um<30ea
	Pisos/Muesca 定位边/定位槽	Plano o muesca
	Exclusión de borde Tamaño del producto(mm)	/
Capa de dispositivo 器件层	Tipo de capa de dispositivo/Dopante 器件层掺杂类型	Tipo N/Tipo P B/P/Sb/As
	Orientación de la capa de dispositivo 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Grosor de la capa del dispositivo 器件层厚度(um)	0,1~300um
	Resistividad de la capa del dispositivo 器件层电阻率(ohm·cm)	0,001~100.000 ohmios-cm
	Partículas de capa de dispositivo 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	TTV de capa de dispositivo 器件层TTV(	<10um
	Acabado de la capa del dispositivo 器件层表面处理	Pulido
CAJA	Espesor del óxido térmico enterrado 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Capa de mango 衬底	Mango tipo oblea/dopante 衬底层类型	Tipo N/Tipo P B/P/Sb/As
	Orientación de la oblea del mango 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Manejar la resistividad de la oblea 衬底电阻率(ohm·cm)	0,001~100.000 ohmios-cm
	Grosor de la oblea del mango 衬底厚度(um)	>100um
	Acabado de oblea del mango 衬底表面处理	Pulido
Las obleas SOI con especificaciones específicas se pueden personalizar según los requisitos del cliente.