Anillo sólido de SiC CVD

Imagen destacada del anillo de SiC CVD sólido

Breve descripción:

Los anillos sólidos de SiC CVD están compuestos principalmente de carburo de silicio (SiC) y tienen excelentes propiedades físicas y químicas. El carburo de silicio es un material cerámico con un alto punto de fusión, alta dureza y excelente resistencia a la corrosión. Presenta una excelente conductividad térmica, estabilidad química y resistencia mecánica a altas temperaturas, y tiene una excelente resistencia al desgaste y la abrasión.

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¿Por qué el anillo de SiC CVD sólido?

Anillos sólidos CVD SiCSe utilizan ampliamente en campos industriales y científicos en entornos abrasivos, corrosivos y de alta temperatura. Desempeña un papel importante en múltiples áreas de aplicación, que incluyen:

1. Fabricación de semiconductores:Anillos sólidos CVD SiCse puede utilizar para calentar y enfriar equipos semiconductores, proporcionando un control de temperatura estable para garantizar la precisión y consistencia del proceso.

2. Optoelectrónica: debido a su excelente conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,Anillos sólidos CVD SiCSe puede utilizar como material de soporte y disipación de calor para láseres, equipos de comunicación de fibra óptica y componentes ópticos.

3. Maquinaria de precisión: Los anillos sólidos de SiC CVD se pueden utilizar para instrumentos y equipos de precisión en entornos corrosivos y de alta temperatura, como hornos de alta temperatura, dispositivos de vacío y reactores químicos.

4. Industria química: Los anillos sólidos de SiC CVD se pueden utilizar en contenedores, tuberías y reactores en reacciones químicas y procesos catalíticos debido a su resistencia a la corrosión y estabilidad química.

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Susceptor de crecimiento de epitaxia

Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.

Susceptor de epitaxia de silicio

Susceptor de epitaxia de carburo de silicio

Producción de chips LED

Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.

Susceptor de epitaxia LED

Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.

En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.

La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 1000-nivellibre de polvohabitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,99% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,99995%..