Portador de oblea Epi recubierto de TaC

Breve descripción:

El portador de oblea Epi recubierto con TaC de Semicera está diseñado para un rendimiento superior en procesos epitaxiales. Su recubrimiento de carburo de tantalio ofrece una durabilidad excepcional y estabilidad a altas temperaturas, lo que garantiza un soporte óptimo para las obleas y una mayor eficiencia de producción. La fabricación de precisión de Semicera garantiza calidad y confiabilidad constantes en aplicaciones de semiconductores.

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Portadores de obleas epitaxiales recubiertas de TaCSe utilizan generalmente en la preparación de dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento, dispositivos de potencia, sensores y otros campos. Esteportador de oblea epitaxialse refiere a la deposición deTaCpelícula delgada sobre el sustrato durante el proceso de crecimiento del cristal para formar una oblea con estructura y rendimiento específicos para la posterior preparación del dispositivo.

La tecnología de deposición química de vapor (CVD) se utiliza generalmente para prepararPortadores de obleas epitaxiales recubiertas de TaC. Al hacer reaccionar precursores organometálicos y gases fuente de carbono a alta temperatura, se puede depositar una película de TaC sobre la superficie del sustrato cristalino. Esta película puede tener excelentes propiedades eléctricas, ópticas y mecánicas y es adecuada para la preparación de diversos dispositivos de alto rendimiento.

Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes.El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, alta estabilidad de temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (Susceptor TaC recubierto de grafito), y prolongar la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.

Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología deTaC en materia de CVDcon los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de su uso.TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Simicera para el crecimiento de monocristales.

Recubrimiento de carburo de tantalio de alta eficiencia: mejora la eficiencia de la producción industrial y reduce los costos de mantenimiento Imagen destacada

Pieza Tac para crecimiento monocristal.

Recubrimiento antidesgaste de carburo de tantalio_ Protege el equipo del desgaste y la corrosión Imagen destacada

Grafito con anillo recubierto de TaC

con y sin TaC

Después de usar TaC (derecha)

Además, SemiceraProductos recubiertos de TaCpresentan una vida útil más larga y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación conRecubrimientos de SiC.Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestroRecubrimientos de TaCPuede funcionar consistentemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación se muestran algunos ejemplos de nuestras muestras: