Susceptor EPI con revestimiento CVD de carburo de tantalio

Breve descripción:

El grafito es un material excelente para altas temperaturas, pero se oxida fácilmente a altas temperaturas. Incluso en hornos de vacío con gas inerte, todavía puede sufrir una oxidación lenta. El uso de un recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) CVD puede proteger eficazmente el sustrato de grafito, proporcionando la misma resistencia a altas temperaturas que el grafito. El TaC también es un material inerte, lo que significa que no reaccionará con gases como el argón o el hidrógeno a altas temperaturas.ConsultaSusceptor EPI con revestimiento CVD de carburo de tantalio ¡ahora!

 


Detalle del producto

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Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes.El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, alta estabilidad de temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (Susceptor TaC recubierto de grafito), y prolongar la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.

 

El grafito es un material excelente para altas temperaturas, pero se oxida fácilmente a altas temperaturas. Incluso en hornos de vacío con gas inerte, todavía puede sufrir una oxidación lenta. El uso de un recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) CVD puede proteger eficazmente el sustrato de grafito, proporcionando la misma resistencia a altas temperaturas que el grafito. El TaC también es un material inerte, lo que significa que no reaccionará con gases como el argón o el hidrógeno a altas temperaturas.ConsultaSusceptor EPI con revestimiento CVD de carburo de tantalio ¡ahora!

Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología deTaC en materia de CVDcon los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de su uso.TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Simicera para el crecimiento de monocristales.

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con y sin TaC

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Después de usar TaC (derecha)

Además, SemiceraProductos recubiertos de TaCpresentan una vida útil más larga y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación conRecubrimientos de SiC.Las mediciones de laboratorio han demostrado que nuestroRecubrimientos de TaCPuede funcionar consistentemente a temperaturas de hasta 2300 grados Celsius durante períodos prolongados. A continuación se muestran algunos ejemplos de nuestras muestras:

 
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Lugar de trabajo Semicera
Lugar de trabajo semicera 2
maquina de equipo
Casa de artículos de semicera
Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD
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