Semicera proporciona recubrimientos especializados de carburo de tantalio (TaC) para diversos componentes y soportes.El proceso de recubrimiento líder de Semicera permite que los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) alcancen alta pureza, alta estabilidad de temperatura y alta tolerancia química, mejorando la calidad del producto de los cristales SIC/GAN y las capas EPI (Susceptor TaC recubierto de grafito), y prolongar la vida útil de los componentes clave del reactor. El uso del recubrimiento TaC de carburo de tantalio tiene como objetivo resolver el problema de los bordes y mejorar la calidad del crecimiento del cristal, y Semicera ha resuelto de manera innovadora la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio (CVD), alcanzando el nivel avanzado internacional.
Después de años de desarrollo, Semicera ha conquistado la tecnología deTaC en materia de CVDcon los esfuerzos conjuntos del departamento de I+D. Es fácil que se produzcan defectos en el proceso de crecimiento de las obleas de SiC, pero después de su uso.TaC, la diferencia es significativa. A continuación se muestra una comparación de obleas con y sin TaC, así como piezas de Semicera para el crecimiento de monocristales.
con y sin TaC
Después de usar TaC (derecha)
Además, la vida útil de los productos de recubrimiento TaC de Semicera es más larga y más resistente a las altas temperaturas que la del recubrimiento de SiC. Después de mucho tiempo de datos de medición de laboratorio, nuestro TaC puede funcionar durante mucho tiempo a un máximo de 2300 grados Celsius. Los siguientes son algunos de nuestros ejemplos:
(a) Diagrama esquemático del dispositivo de cultivo de lingotes monocristalinos de SiC mediante el método PVT (b) Soporte superior para semillas recubierto de TaC (incluida la semilla de SiC) (c) Anillo guía de grafito recubierto de TAC
