Fabricantes, proveedores, fábrica de obleas de China
¿Qué es la oblea semiconductora?
Una oblea semiconductora es una rebanada delgada y redonda de material semiconductor que sirve como base para la fabricación de circuitos integrados (CI) y otros dispositivos electrónicos. La oblea proporciona una superficie plana y uniforme sobre la que se construyen diversos componentes electrónicos.
El proceso de fabricación de obleas implica varios pasos, que incluyen hacer crecer un monocristal grande del material semiconductor deseado, cortar el cristal en obleas finas con una sierra de diamante y luego pulir y limpiar las obleas para eliminar cualquier defecto o impureza de la superficie. Las obleas resultantes tienen una superficie muy plana y lisa, lo que es crucial para los procesos de fabricación posteriores.
Una vez preparadas las obleas, se someten a una serie de procesos de fabricación de semiconductores, como fotolitografía, grabado, deposición y dopaje, para crear los patrones y capas intrincados necesarios para construir componentes electrónicos. Estos procesos se repiten varias veces en una sola oblea para crear múltiples circuitos integrados u otros dispositivos.
Una vez finalizado el proceso de fabricación, los chips individuales se separan cortando la oblea en cubitos a lo largo de líneas predefinidas. Luego, los chips separados se empaquetan para protegerlos y proporcionar conexiones eléctricas para su integración en dispositivos electrónicos.
Diferentes materiales en oblea.
Las obleas semiconductoras se fabrican principalmente a partir de silicio monocristalino debido a su abundancia, excelentes propiedades eléctricas y compatibilidad con los procesos estándar de fabricación de semiconductores. Sin embargo, dependiendo de las aplicaciones y requisitos específicos, también se pueden utilizar otros materiales para fabricar obleas. A continuación se muestran algunos ejemplos:
El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda prohibida amplia que ofrece propiedades físicas superiores en comparación con los materiales tradicionales. Ayuda a reducir el tamaño y el peso de dispositivos discretos, módulos e incluso sistemas completos, al tiempo que mejora la eficiencia.
Características clave del SiC:
- -Banda prohibida amplia:La banda prohibida del SiC es aproximadamente tres veces mayor que la del silicio, lo que le permite funcionar a temperaturas más altas, hasta 400°C.
- -Campo de desglose crítico alto:El SiC puede soportar hasta diez veces el campo eléctrico del silicio, lo que lo hace ideal para dispositivos de alto voltaje.
- -Alta Conductividad Térmica:El SiC disipa el calor de manera eficiente, lo que ayuda a los dispositivos a mantener temperaturas de funcionamiento óptimas y prolonga su vida útil.
- -Velocidad de deriva de electrones de alta saturación:Con el doble de velocidad de deriva que el silicio, el SiC permite frecuencias de conmutación más altas, lo que ayuda a la miniaturización del dispositivo.
Aplicaciones:
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-Electrónica de Potencia:Los dispositivos de potencia de SiC destacan en entornos de alto voltaje, alta corriente, alta temperatura y alta frecuencia, lo que mejora significativamente la eficiencia de conversión de energía. Se utilizan ampliamente en vehículos eléctricos, estaciones de carga, sistemas fotovoltaicos, transporte ferroviario y redes inteligentes.
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-Comunicaciones por microondas:Los dispositivos GaN RF basados en SiC son cruciales para la infraestructura de comunicaciones inalámbricas, especialmente para las estaciones base 5G. Estos dispositivos combinan la excelente conductividad térmica de SiC con la salida de RF de alta frecuencia y alta potencia de GaN, lo que los convierte en la opción preferida para las redes de telecomunicaciones de alta frecuencia de próxima generación.
Nitruro de galio (GaN)es un material semiconductor de banda prohibida amplia de tercera generación con una banda prohibida grande, alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva de saturación de electrones y excelentes características de campo de ruptura. Los dispositivos GaN tienen amplias perspectivas de aplicación en áreas de alta frecuencia, alta velocidad y alta potencia, como iluminación LED de bajo consumo, pantallas de proyección láser, vehículos eléctricos, redes inteligentes y comunicaciones 5G.
Arseniuro de galio (GaAs)es un material semiconductor conocido por su alta frecuencia, alta movilidad de electrones, alta potencia de salida, bajo ruido y buena linealidad. Es ampliamente utilizado en las industrias de optoelectrónica y microelectrónica. En optoelectrónica, los sustratos de GaAs se utilizan para fabricar LED (diodos emisores de luz), LD (diodos láser) y dispositivos fotovoltaicos. En microelectrónica, se emplean en la producción de MESFET (transistores de efecto de campo semiconductores metálicos), HEMT (transistores de alta movilidad de electrones), HBT (transistores bipolares de heterounión), IC (circuitos integrados), diodos de microondas y dispositivos de efecto Hall.
Fosfuro de indio (InP)Es uno de los semiconductores compuestos III-V importantes, conocido por su alta movilidad de electrones, excelente resistencia a la radiación y amplia banda prohibida. Es ampliamente utilizado en las industrias de optoelectrónica y microelectrónica.
