Descripción
Portadores de obleasconRecubrimiento de carburo de silicio (SiC)de semicera están diseñados por expertos para un crecimiento epitaxial de alto rendimiento, lo que garantiza resultados óptimos enSi epitaxiayEpitaxia de SiCaplicaciones. Los portadores de ingeniería de precisión de Semicera están construidos para soportar condiciones extremas, lo que los convierte en componentes esenciales en los sistemas susceptores MOCVD para industrias que requieren alta precisión y durabilidad.
Estos transportadores de obleas son versátiles y soportan procesos críticos con equipos comoPortador de grabado PSS, Portador de grabado ICP, yOperador RTP. Su robusto revestimiento de SiC mejora el rendimiento de aplicaciones comoLED epitaxialSusceptor y Silicio Monocristalino, asegurando resultados consistentes incluso en entornos exigentes.
Disponibles en múltiples configuraciones, como Barrel Susceptor y Pancake Susceptor, estos portadores desempeñan un papel vital en la fabricación de semiconductores y fotovoltaicos, apoyando la producción de piezas fotovoltaicas y facilitando los procesos de epitaxia de GaN en SiC. Con su diseño superior, estos transportadores son un activo clave para los fabricantes que buscan una producción de alta eficiencia.
Características principales
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidad | (g/cc) | 3.21 |
Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaje y envío
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
Cantidad (piezas) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |