1.Acerca deObleas epitaxiales de carburo de silicio (SiC)
Las obleas epitaxiales de carburo de silicio (SiC) se forman depositando una capa monocristalina sobre una oblea utilizando una oblea monocristalina de carburo de silicio como sustrato, generalmente mediante deposición química de vapor (CVD). Entre ellos, el epitaxial de carburo de silicio se prepara haciendo crecer una capa epitaxial de carburo de silicio sobre el sustrato conductor de carburo de silicio y luego se fabrica en dispositivos de alto rendimiento.
2.Oblea epitaxial de carburo de silicioPresupuesto
Podemos proporcionar obleas epitaxiales de 4H-SiC tipo N de 4, 6 y 8 pulgadas. La oblea epitaxial tiene un gran ancho de banda, una alta velocidad de deriva de electrones de saturación, un gas de electrones bidimensional de alta velocidad y una alta intensidad de campo de ruptura. Estas propiedades hacen que el dispositivo sea resistente a altas temperaturas, alta tensión, velocidad de conmutación rápida, baja resistencia, tamaño pequeño y peso ligero.
3. Aplicaciones epitaxiales de SiC
Oblea epitaxial de SiCse utiliza principalmente en diodo Schottky (SBD), transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET), transistor de efecto de campo de unión (JFET), transistor de unión bipolar (BJT), tiristor (SCR), transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), que se utiliza en campos de baja, media y alta tensión. Actualmente,Obleas epitaxiales de SiCpara aplicaciones de alto voltaje se encuentran en etapa de investigación y desarrollo en todo el mundo.
