Descripción del Producto
Oblea de semilla sic de 4h-n 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 100 mm de espesor de 1 mm para crecimiento de lingotes
Tamaño personalizado/2 pulgadas/3 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingotes SIC/Alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mm de carburo de silicio monocristal (sic) sustratos de obleas S/ Obleas sic cortadas personalizadas Producción 4 pulgadas Obleas SIC de grado 4H-N de 1,5 mm para cristal semilla
Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)
El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC.El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en alta- LED de alimentación.
Descripción
| Propiedad | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
| Parámetros de red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Secuencia de apilamiento | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Termia.Coeficiente de expansión | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice de refracción @ 750 nm | no = 2,61 | no = 2,60 |
| Constante dieléctrica | ~9.66 | ~9.66 |
| Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) | ~4,2 W/cm·K@298K |
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| Conductividad térmica (semiaislante) | ~4,9 W/cm·K@298K | ~4,6 W/cm·K@298K |
| banda prohibida | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Campo eléctrico de avería | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2,0×105 m/s | 2,0×105 m/s |
