La epitaxia LED azul/verde de semicera ofrece soluciones de vanguardia para la fabricación de LED de alto rendimiento. Diseñada para respaldar procesos avanzados de crecimiento epitaxial, la tecnología de epitaxia LED azul/verde de Semicera mejora la eficiencia y la precisión en la producción de LED azules y verdes, fundamentales para diversas aplicaciones optoelectrónicas. Utilizando Si Epitaxy y SiC Epitaxy de última generación, esta solución garantiza una excelente calidad y durabilidad.
En el proceso de fabricación, MOCVD Susceptor desempeña un papel crucial, junto con componentes como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier, que optimizan el entorno de crecimiento epitaxial. La epitaxia LED azul/verde de Semicera está diseñada para brindar soporte estable para el susceptor epitaxial LED, el susceptor de barril y el silicio monocristalino, lo que garantiza la producción de resultados consistentes y de alta calidad.
Este proceso de epitaxia es vital para la creación de piezas fotovoltaicas y admite aplicaciones como GaN en epitaxia de SiC, lo que mejora la eficiencia general de los semiconductores. Ya sea en una configuración Pancake Susceptor o utilizadas en otras configuraciones avanzadas, las soluciones de epitaxia LED azul/verde de Semicera ofrecen un rendimiento confiable, lo que ayuda a los fabricantes a satisfacer la creciente demanda de componentes LED de alta calidad.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales deRecubrimiento CVD-SIC
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | µm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
