Recubrimiento CVD SiC

Introducción al recubrimiento de carburo de silicio 

Nuestro recubrimiento de carburo de silicio (SiC) por deposición química de vapor (CVD) es una capa muy duradera y resistente al desgaste, ideal para entornos que exigen alta resistencia térmica y a la corrosión.Recubrimiento de carburo de silicioSe aplica en capas finas sobre varios sustratos mediante el proceso CVD, ofreciendo características de rendimiento superiores.


Características clave

       ● -Pureza excepcional: Con una composición ultrapura de99,99995%, nuestroRecubrimiento de SiCMinimiza los riesgos de contaminación en operaciones sensibles de semiconductores.

● -Resistencia superior: Exhibe una excelente resistencia tanto al desgaste como a la corrosión, lo que lo hace perfecto para entornos químicos y de plasma desafiantes.
● -Alta conductividad térmica: Garantiza un rendimiento confiable bajo temperaturas extremas debido a sus excelentes propiedades térmicas.
● -Estabilidad dimensional: Mantiene la integridad estructural en un amplio rango de temperaturas, gracias a su bajo coeficiente de expansión térmica.
● -Dureza mejorada: Con un índice de dureza de40 GPa, nuestro revestimiento de SiC resiste importantes impactos y abrasión.
● -Acabado de superficie lisa: Proporciona un acabado similar a un espejo, lo que reduce la generación de partículas y mejora la eficiencia operativa.


Aplicaciones

semicera Recubrimientos de SiCse utilizan en varias etapas de la fabricación de semiconductores, que incluyen:

● -Fabricación de chips LED
● -Producción de polisilicio
● -Crecimiento de cristales semiconductores
● -Epitaxia de Silicio y SiC
● -Oxidación y Difusión Térmica (TO&D)

 

Suministramos componentes recubiertos de SiC elaborados a partir de grafito isostático de alta resistencia, carbono reforzado con fibra de carbono y carburo de silicio recristalizado 4N, diseñados para reactores de lecho fluidizado.Convertidores STC-TCS, reflectores de unidades CZ, botes de oblea de SiC, paletas de oblea de SiC, tubos de oblea de SiC y portadores de oblea utilizados en procesos de PECVD, epitaxia de silicio y MOCVD.


Beneficios

● -Vida útil extendida: Reduce significativamente el tiempo de inactividad del equipo y los costos de mantenimiento, mejorando la eficiencia general de la producción.
● -Calidad mejorada: Consigue superficies de alta pureza necesarias para el procesamiento de semiconductores, mejorando así la calidad del producto.
● -Mayor eficiencia: Optimiza los procesos térmicos y CVD, lo que resulta en tiempos de ciclo más cortos y mayores rendimientos.


Especificaciones técnicas
     

● -Estructura: FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
● -Densidad: 3,21 g/cm³
● -Dureza: Dureza Vickes 2500 (carga de 500 g)
● -Resistencia a la fractura: 3,0 MPa·m1/2
● -Coeficiente de expansión térmica (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Módulo elástico(1300℃):435 GPa
● -Espesor de película típico:100 micras
● -Rugosidad de la superficie:2-10 µm


Datos de pureza (medidos mediante espectroscopia de masas de descarga luminosa)

Elemento

ppm

Elemento

ppm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Alabama

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Al utilizar tecnología CVD de vanguardia, ofrecemos soluciones personalizadasSoluciones de recubrimiento de SiCpara satisfacer las necesidades dinámicas de nuestros clientes y respaldar los avances en la fabricación de semiconductores.

 

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