Sistema de reactor de epitaxia calentado inductivamente

Imagen destacada del sistema de reactor de epitaxia calentado por inducción

Breve descripción:

Semicera ofrece una amplia gama de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores de epitaxia.

A través de asociaciones estratégicas con fabricantes de equipos originales líderes en la industria, amplia experiencia en materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia garantiza que usted reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.

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Nuestra empresa proporcionaRecubrimiento de SiCServicios de procesamiento en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio puedan reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que se pueden depositar en la superficie de los materiales recubiertos para formar uncapa protectora de SiCpara hipnótico tipo barril.

Características principales:

1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza

2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica

3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa

4. Alta durabilidad frente a limpieza química.

Sistema de reactor de epitaxia calentado inductivamente (LPE)

Especificaciones principales deRecubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300