Obleas de GaAs|Obleas Epi de GaAs| Sustratos de arseniuro de galio

Breve descripción:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. es un proveedor líder especializado en obleas y consumibles semiconductores avanzados. Nos dedicamos a proporcionar productos innovadores, confiables y de alta calidad para la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica y otros campos relacionados.

Nuestra línea de productos incluye productos cerámicos y de grafito recubiertos de SiC/TaC, que abarcan diversos materiales como carburo de silicio, nitruro de silicio y óxido de aluminio, etc.

En la actualidad, somos el único fabricante que ofrece un recubrimiento de SiC con una pureza del 99,9999 % y carburo de silicio recristalizado al 99,9 %. La longitud máxima del recubrimiento de SiC que podemos hacer es 2640 mm.

 

Detalle del producto

Etiquetas de producto

Sustratos de GaAs(1)

Los sustratos de GaAs se dividen en conductores y semiaislantes, que se utilizan ampliamente en láser (LD), diodo emisor de luz (LED) semiconductor, láser de infrarrojo cercano, láser de alta potencia de pozo cuántico y paneles solares de alta eficiencia. chips HEMT y HBT para computadoras de radar, microondas, ondas milimétricas o de ultra alta velocidad y comunicaciones ópticas; Dispositivos de radiofrecuencia para comunicación inalámbrica, 4G, 5G, comunicación satelital, WLAN.

Recientemente, los sustratos de arseniuro de galio también han logrado grandes avances en mini-LED, Micro-LED y LED rojos, y se utilizan ampliamente en dispositivos portátiles AR/VR.

Diámetro
晶片直径

50 mm | 75 mm | 100 mm | 150mm

Método de crecimiento
生长方式

LEC液封直拉法
VGF垂直梯度凝固法

Grosor de la oblea
厚度

350 micras ~ 625 micras

Orientación
晶向

<100> / <111> / <110> u otros

Tipo conductor
导电类型

Tipo P / Tipo N / Semiaislante

Tipo/Dopante
掺杂剂

Zn/Si/sin dopar

Concentración de portadores
载流子浓度

1E17 ~ 5E19cm-3

Resistividad a temperatura ambiente
室温电阻率(ohmios·cm)

≥1E7 para SI

Movilidad
迁移率(cm2/V•Seg)

≥4000

EPD (densidad de picaduras de grabado)
腐蚀坑密度

100~1E5

televisión
总厚度变化

≤ 10 micras

Arco / Deformación
翘曲度

≤ 20 micras

Acabado superficial
表面

DSP/SSP

Marca láser
激光码

 

Calificación
等级

Grado pulido epi/grado mecánico

Lugar de trabajo Semicera Lugar de trabajo semicera 2 maquina de equipo Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD Nuestro servicio


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