Sustratos de carburo de silicio|Obleas de SiC

Breve descripción:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. es un proveedor líder especializado en obleas y consumibles semiconductores avanzados.Nos dedicamos a proporcionar productos innovadores, confiables y de alta calidad para la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica y otros campos relacionados.

Nuestra línea de productos incluye productos cerámicos y de grafito recubiertos de SiC/TaC, que abarcan diversos materiales como carburo de silicio, nitruro de silicio y óxido de aluminio, etc.

En la actualidad, somos el único fabricante que ofrece un recubrimiento de SiC con una pureza del 99,9999 % y carburo de silicio recristalizado al 99,9 %.La longitud máxima del recubrimiento de SiC que podemos hacer es 2640 mm.

Envíanos un correo electrónico

Detalle del producto

Etiquetas de productos

El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Los dispositivos de SiC tienen ventajas irremplazables en el campo de los dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta presión, alta frecuencia y alta potencia y aplicaciones ambientales extremas como aeroespacial, militar, energía nuclear, etc., compensan los defectos de los dispositivos de materiales semiconductores tradicionales en la práctica. aplicaciones y se están convirtiendo gradualmente en la corriente principal de los semiconductores de potencia.

Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 4H-SiC

Artículo项目	Especificaciones
politipo 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Diámetro 晶圆直径	2 pulgadas \|3 pulgadas \|4 pulgadas \|6 pulgadas	2 pulgadas \|3 pulgadas \|4 pulgadas \|6 pulgadas
Espesor 厚度	330 micras ~ 350 micras	330 micras ~ 350 micras
Conductividad 导电类型	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片
dopante 掺杂剂	N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio )	N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio )
Orientación 晶向	En el eje <0001> Fuera del eje <0001> fuera de 4°	En el eje <0001> Fuera del eje <0001> fuera de 4°
Resistividad 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohmios-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohmios-cm (6H-N)
Densidad de microtubos (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
televisión 总厚度变化	≤ 15 µm	≤ 15 µm
Arco / Deformación 翘曲度	≤25 micras	≤25 micras
Superficie 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Calificación 产品等级	Grado de producción/investigación	Grado de producción/investigación
Secuencia de apilamiento de cristales 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parámetro de red 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Eg/eV (banda prohibida) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε(Constante dieléctrica) 介电常数	9.6	9.66
Índice de refracción 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 6H-SiC

Artículo项目	Especificaciones
politipo 晶型	6H-SiC
Diámetro 晶圆直径	4 pulgadas \|6 pulgadas
Espesor 厚度	350 μm ~ 450 μm
Conductividad 导电类型	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片
dopante 掺杂剂	N2 (nitrógeno) V (Vanadio)
Orientación 晶向	<0001> apagado 4°± 0,5°
Resistividad 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohmios-cm (Tipo 6H-N)
Densidad de microtubos (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
televisión 总厚度变化	≤ 15 µm
Arco / Deformación 翘曲度	≤25 micras
Superficie 表面处理	Cara Si: CMP, Epi-Ready Cara C: Polaco óptico
Calificación 产品等级	Grado de investigación