Descripción del Producto
Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos. formando una capa protectora SIC.
Características principales:
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
1111111斯蒂芬森
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
11111111111111111
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | µm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
-
Carro de barco de cristal de carburo de silicio semiconductor...
-
Susceptores de oblea de carburo de silicio (SiC) para MOCVD
-
Barco de oblea de carburo de silicio
-
Sistema de reactor de epitaxia calentado inductivamente
-
41 piezas equipo MOCVD con base de grafito de 4 pulgadas...
-
Susceptor de barril recubierto de SiC