semicerapresenta su alta calidadSi epitaxiaservicios, diseñados para cumplir con los exigentes estándares de la industria de semiconductores actual. Las capas de silicio epitaxial son fundamentales para el rendimiento y la confiabilidad de los dispositivos electrónicos, y nuestras soluciones Si Epitaxy garantizan que sus componentes alcancen una funcionalidad óptima.
Capas de silicio cultivadas con precisión semiceraentiende que la base de los dispositivos de alto rendimiento reside en la calidad de los materiales utilizados. NuestroSi epitaxiaEl proceso se controla meticulosamente para producir capas de silicio con una uniformidad e integridad cristalina excepcionales. Estas capas son esenciales para aplicaciones que van desde la microelectrónica hasta dispositivos de energía avanzados, donde la consistencia y la confiabilidad son primordiales.
Optimizado para el rendimiento del dispositivoElSi epitaxiaLos servicios ofrecidos por Semicera están diseñados para mejorar las propiedades eléctricas de sus dispositivos. Al desarrollar capas de silicio de alta pureza con bajas densidades de defectos, garantizamos que sus componentes funcionen al máximo, con una movilidad mejorada del portador y una resistividad eléctrica minimizada. Esta optimización es fundamental para lograr las características de alta velocidad y alta eficiencia que exige la tecnología moderna.
Versatilidad en aplicaciones semicera'sSi epitaxiaes adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluida la producción de transistores CMOS, MOSFET de potencia y transistores de unión bipolar. Nuestro proceso flexible permite la personalización según los requisitos específicos de su proyecto, ya sea que necesite capas delgadas para aplicaciones de alta frecuencia o capas más gruesas para dispositivos de energía.
Calidad superior de los materialesLa calidad está en el centro de todo lo que hacemos en Semicera. NuestroSi epitaxiaEl proceso utiliza equipos y técnicas de última generación para garantizar que cada capa de silicio cumpla con los más altos estándares de pureza e integridad estructural. Esta atención al detalle minimiza la aparición de defectos que podrían afectar el rendimiento del dispositivo, lo que da como resultado componentes más confiables y duraderos.
Compromiso con la innovación semicerase compromete a mantenerse a la vanguardia de la tecnología de semiconductores. NuestroSi epitaxiaLos servicios reflejan este compromiso, incorporando los últimos avances en técnicas de crecimiento epitaxial. Refinamos continuamente nuestros procesos para ofrecer capas de silicio que satisfagan las necesidades cambiantes de la industria, garantizando que sus productos sigan siendo competitivos en el mercado.
Soluciones personalizadas para sus necesidadesEntendiendo que cada proyecto es único,semiceraofertas personalizadasSi epitaxiaSoluciones que se adaptan a sus necesidades específicas. Ya sea que necesite perfiles de dopaje, espesores de capa o acabados de superficie particulares, nuestro equipo trabaja estrechamente con usted para ofrecerle un producto que cumpla con sus especificaciones precisas.
Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
Parámetros de cristal | |||
politipo | 4H | ||
Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
dopante | Nitrógeno tipo n | ||
Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350±25 micras | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
piso secundario | Ninguno | ||
televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Estructura | |||
Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
Calidad frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcado láser frontal | Ninguno | ||
Calidad trasera | |||
Acabado trasero | CMP cara C | ||
Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaje | |||
Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |