Semiceraspaletas de sicestán diseñados para una expansión térmica mínima, proporcionando estabilidad y precisión en procesos donde la precisión dimensional es crítica. Esto los hace ideales para aplicaciones dondeobleasestán sujetos a ciclos repetidos de calentamiento y enfriamiento, ya que el barco de oblea mantiene su integridad estructural, lo que garantiza un rendimiento constante.
Incorporando Semicerapaletas de difusión de carburo de silicioen su línea de producción mejorará la confiabilidad de su proceso, gracias a sus propiedades térmicas y químicas superiores. Estas paletas son perfectas para procesos de difusión, oxidación y recocido, asegurando que las obleas se manipulen con cuidado y precisión en cada paso.
La innovación es el núcleo de Semicerapaleta de sicdiseño. Estas paletas están diseñadas para encajar perfectamente en los equipos semiconductores existentes, lo que proporciona una mayor eficiencia de manejo. La estructura liviana y el diseño ergonómico no solo mejoran el transporte de obleas sino que también reducen el tiempo de inactividad operativa, lo que resulta en una producción optimizada.
| Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado | |
| Propiedad | Valor típico |
| Temperatura de trabajo (°C) | 1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor) |
| Contenido de SiC | > 99,96% |
| Contenido gratuito de Si | <0,1% |
| densidad aparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosidad aparente | < 16% |
| Fuerza de compresión | > 600MPa |
| Resistencia a la flexión en frío | 80-90 MPa (20°C) |
| Resistencia a la flexión en caliente | 90-100MPa (1400°C) |
| Expansión térmica @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Conductividad térmica a 1200°C | 23 W/m·K |
| módulo elástico | 240 GPa |
| Resistencia al choque térmico | Extremadamente bueno |
