Descripción
Nuestra empresa proporcionaRecubrimiento de SiCServicios de procesamiento en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio puedan reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que se pueden depositar en la superficie de los materiales recubiertos para formar uncapa protectora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.
Características principales
1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | µm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
