Descripción
Los susceptores de grafito recubiertos de SiC de Semicera están diseñados utilizando sustratos de grafito de alta calidad, que están meticulosamente recubiertos con carburo de silicio (SiC) mediante procesos avanzados de deposición química de vapor (CVD). Este diseño innovador garantiza una resistencia excepcional al choque térmico y la degradación química, lo que extiende significativamente la vida útil del susceptor de grafito recubierto de SiC y garantiza un rendimiento confiable durante todo el proceso de fabricación de semiconductores.
Características clave:
1. Conductividad térmica superiorEl susceptor de grafito recubierto de SiC exhibe una excelente conductividad térmica, que es crucial para una disipación eficiente del calor durante la fabricación de semiconductores. Esta característica minimiza los gradientes térmicos en la superficie de la oblea, promoviendo una distribución uniforme de la temperatura, esencial para lograr las propiedades semiconductoras deseadas.
2. Robusta resistencia al choque térmico y químicoEl recubrimiento de SiC proporciona una protección formidable contra la corrosión química y el choque térmico, manteniendo la integridad del susceptor de grafito incluso en entornos de procesamiento hostiles. Esta mayor durabilidad reduce el tiempo de inactividad y prolonga la vida útil, lo que contribuye a una mayor productividad y rentabilidad en las instalaciones de fabricación de semiconductores.
3. Personalización para necesidades específicasNuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC se pueden adaptar para cumplir con requisitos y preferencias específicos. Ofrecemos una gama de opciones de personalización, incluidos ajustes de tamaño y variaciones en el espesor del recubrimiento, para garantizar la flexibilidad del diseño y el rendimiento optimizado para diferentes aplicaciones y parámetros de proceso.
Aplicaciones:
AplicacionesLos recubrimientos Semicera SiC se utilizan en diversas etapas de la fabricación de semiconductores, que incluyen:
1. -Fabricación de chips LED
2.-Producción de polisilicio
3. -Crecimiento de cristales semiconductores
4.-Epitaxia del Silicio y SiC
5.-Oxidación y Difusión Térmica (TO&D)