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Placa portadora RTA de carburo de silicio para semiconductores

Placa portadora RTA de carburo de silicio para semiconductores Imagen destacada
  • Placa portadora RTA de carburo de silicio para semiconductores

Breve descripción:

El carburo de silicio es un nuevo tipo de cerámica con un alto costo y excelentes propiedades de material.Debido a características como alta resistencia y dureza, resistencia a altas temperaturas, gran conductividad térmica y resistencia a la corrosión química, el carburo de silicio puede resistir casi todos los medios químicos.Por lo tanto, el SiC se utiliza ampliamente en la minería petrolera, la industria química, la maquinaria y el espacio aéreo, incluso la energía nuclear y el ejército tienen demandas especiales sobre el SIC.Algunas aplicaciones normales que podemos ofrecer son anillos de sellado para bombas, válvulas y armaduras protectoras, etc.

Podemos diseñar y fabricar de acuerdo con sus dimensiones específicas con buena calidad y plazos de entrega razonables.


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Descripción

Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos. formando una capa protectora SIC.

Principales características

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:
La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.
2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.
3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina Fase β de la FCC
Densidad gramos/cm³ 3.21
Dureza Dureza Vickers 2500
Tamaño de grano µm 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidad calorífica J·kg-1·K-1 640
Temperatura de sublimación ℃ 2700
Fuerza flexural MPa (RT 4 puntos) 415
El módulo de Young Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) 430
Expansión Térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductividad térmica (W/mK) 300
Lugar de trabajo Semicera
Lugar de trabajo semicera 2
maquina de equipo
Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD
Nuestro servicio
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