Sustratos de carburo de silicio|Obleas de SiC

Breve descripción:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. es un proveedor líder especializado en obleas y consumibles semiconductores avanzados. Nos dedicamos a proporcionar productos innovadores, confiables y de alta calidad para la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica y otros campos relacionados.

Nuestra línea de productos incluye productos cerámicos y de grafito recubiertos de SiC/TaC, que abarcan diversos materiales como carburo de silicio, nitruro de silicio y óxido de aluminio, etc.

En la actualidad, somos el único fabricante que ofrece un recubrimiento de SiC con una pureza del 99,9999 % y carburo de silicio recristalizado al 99,9 %. La longitud máxima del recubrimiento de SiC que podemos hacer es 2640 mm.

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El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Los dispositivos de SiC tienen ventajas irreemplazables en el campo de los dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta presión, alta frecuencia y alta potencia y aplicaciones ambientales extremas como aeroespacial, militar, energía nuclear, etc., compensan los defectos de los dispositivos de material semiconductor tradicionales en la práctica. aplicaciones y se están convirtiendo gradualmente en la corriente principal de los semiconductores de potencia.

Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 4H-SiC

Artículo项目	Especificaciones
politipo 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Diámetro 晶圆直径	2 pulgadas \| 3 pulgadas \| 4 pulgadas \| 6 pulgadas	2 pulgadas \| 3 pulgadas \| 4 pulgadas \| 6 pulgadas
Espesor 厚度	330 micras ~ 350 micras	330 micras ~ 350 micras
Conductividad 导电类型	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片
dopante 掺杂剂	N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio )	N2 ( Nitrógeno ) V ( Vanadio )
Orientación 晶向	En el eje <0001> Fuera del eje <0001> fuera de 4°	En el eje <0001> Fuera del eje <0001> fuera de 4°
Resistividad 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohmios-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohmios-cm (6H-N)
Densidad de microtubos (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
televisión 总厚度变化	≤ 15 µm	≤ 15 µm
Arco / Deformación 翘曲度	≤25 micras	≤25 micras
Superficie 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Calificación 产品等级	Grado de producción/investigación	Grado de producción/investigación
Secuencia de apilamiento de cristales 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parámetro de celosía 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Eg/eV (banda prohibida) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε(Constante dieléctrica) 介电常数	9.6	9.66
Índice de refracción 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Especificaciones del sustrato de carburo de silicio 6H-SiC

Artículo项目	Especificaciones
politipo 晶型	6H-SiC
Diámetro 晶圆直径	4 pulgadas \| 6 pulgadas
Espesor 厚度	350 μm ~ 450 μm
Conductividad 导电类型	N – tipo / Semiaislante N型导电片/ 半绝缘片
dopante 掺杂剂	N2 (nitrógeno) V (Vanadio)
Orientación 晶向	<0001> apagado 4°± 0,5°
Resistividad 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohmios-cm (Tipo 6H-N)
Densidad de microtubos (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
televisión 总厚度变化	≤ 15 µm
Arco / Deformación 翘曲度	≤25 micras
Superficie 表面处理	Cara Si: CMP, Epi-Ready Cara C: Polaco óptico
Calificación 产品等级	Grado de investigación