Introducción al recubrimiento de carburo de silicio
Nuestro recubrimiento de carburo de silicio (SiC) por deposición química de vapor (CVD) es una capa muy duradera y resistente al desgaste, ideal para entornos que exigen alta resistencia térmica y a la corrosión.Recubrimiento de carburo de silicioSe aplica en capas finas sobre varios sustratos mediante el proceso CVD, ofreciendo características de rendimiento superiores.
Características clave
● -Pureza excepcional: Con una composición ultrapura de99,99995%, nuestroRecubrimiento de SiCMinimiza los riesgos de contaminación en operaciones sensibles de semiconductores.
● -Resistencia superior: Exhibe una excelente resistencia tanto al desgaste como a la corrosión, lo que lo hace perfecto para entornos químicos y de plasma desafiantes.
● -Alta conductividad térmica: Garantiza un rendimiento confiable bajo temperaturas extremas debido a sus excelentes propiedades térmicas.
● -Estabilidad dimensional: Mantiene la integridad estructural en un amplio rango de temperaturas, gracias a su bajo coeficiente de expansión térmica.
● -Dureza mejorada: Con un índice de dureza de40 GPa, nuestro revestimiento de SiC resiste importantes impactos y abrasión.
● -Acabado de superficie lisa: Proporciona un acabado similar a un espejo, lo que reduce la generación de partículas y mejora la eficiencia operativa.
Aplicaciones
semicera Recubrimientos de SiCse utilizan en varias etapas de la fabricación de semiconductores, que incluyen:
● -Fabricación de chips LED
● -Producción de polisilicio
● -Crecimiento de cristales semiconductores
● -Epitaxia de Silicio y SiC
● -Oxidación y Difusión Térmica (TO&D)
Suministramos componentes recubiertos de SiC elaborados a partir de grafito isostático de alta resistencia, carbono reforzado con fibra de carbono y carburo de silicio recristalizado 4N, diseñados para reactores de lecho fluidizado.Convertidores STC-TCS, reflectores de unidades CZ, botes de oblea de SiC, paletas de oblea de SiC, tubos de oblea de SiC y portadores de oblea utilizados en procesos de PECVD, epitaxia de silicio y MOCVD.
Beneficios
● -Vida útil extendida: Reduce significativamente el tiempo de inactividad del equipo y los costos de mantenimiento, mejorando la eficiencia general de la producción.
● -Calidad mejorada: Consigue superficies de alta pureza necesarias para el procesamiento de semiconductores, mejorando así la calidad del producto.
● -Mayor eficiencia: Optimiza los procesos térmicos y CVD, lo que resulta en tiempos de ciclo más cortos y mayores rendimientos.
Especificaciones técnicas
● -Estructura: FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
● -Densidad: 3,21 g/cm³
● -Dureza: Dureza Vickes 2500 (carga de 500 g)
● -Resistencia a la fractura: 3,0 MPa·m1/2
● -Coeficiente de expansión térmica (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Módulo elástico(1300℃):435 GPa
● -Espesor de película típico:100 micras
● -Rugosidad de la superficie:2-10 µm
Datos de pureza (medidos mediante espectroscopia de masas de descarga luminosa)
| Elemento | ppm | Elemento | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Alabama | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
