Epitaxia de SiC

Breve descripción:

Semicera ofrece epitaxia de SiC de película delgada (carburo de silicio) personalizada sobre sustratos para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio. Weitai se compromete a ofrecer productos de calidad y precios competitivos, y esperamos ser su socio a largo plazo en China.

 

Detalle del producto

Etiquetas de producto

Epitaxia de SiC (2)(1)

Descripción del Producto

Oblea de semilla sic de 4h-n 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 100 mm de espesor de 1 mm para crecimiento de lingotes

Tamaño personalizado/2 pulgadas/3 pulgadas/4 pulgadas/6 pulgadas 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingotes SIC/Alta pureza 4H-N 4 pulgadas 6 pulgadas de diámetro 150 mm de carburo de silicio monocristal (sic) sustratos de obleasS/ Obleas sic cortadas personalizadasProducción 4 pulgadas Obleas SIC de grado 4H-N de 1,5 mm para cristal semilla

Acerca del cristal de carburo de silicio (SiC)

El carburo de silicio (SiC), también conocido como carborundo, es un semiconductor que contiene silicio y carbono con fórmula química SiC. El SiC se utiliza en dispositivos electrónicos semiconductores que funcionan a altas temperaturas o altos voltajes, o ambos. El SiC también es uno de los componentes LED importantes, es un sustrato popular para el cultivo de dispositivos GaN y también sirve como disipador de calor en entornos de alta temperatura. LED de alimentación.

Descripción

Propiedad

4H-SiC, monocristal

6H-SiC, monocristal

Parámetros de red

a=3,076 Å c=10,053 Å

a=3,073 Å c=15,117 Å

Secuencia de apilamiento

ABCB

ABCACB

Dureza de Mohs

≈9.2

≈9.2

Densidad

3,21 g/cm3

3,21 g/cm3

Termia. Coeficiente de expansión

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

Índice de refracción @ 750 nm

no = 2,61
ne = 2,66

no = 2,60
ne = 2,65

Constante dieléctrica

~9.66

~9.66

Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)

~4,2 W/cm·K@298K
~3,7 W/cm·K@298K

 

Conductividad térmica (semiaislante)

~4,9 W/cm·K@298K
~3,9 W/cm·K@298K

~4,6 W/cm·K@298K
~3,2 W/cm·K@298K

banda prohibida

3,23 eV

3,02 eV

Campo eléctrico de avería

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

Velocidad de deriva de saturación

2,0×105 m/s

2,0×105 m/s

Obleas de SiC

Lugar de trabajo Semicera Lugar de trabajo semicera 2 maquina de equipo Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD Nuestro servicio


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